Infineon Technologies AG ha valiente el Coolsic MOSFET 1200 V G2 en un paquete Q-DPAK refrigerado por el flanco superior (TSC). Los nuevos dispositivos ofrecen rendimiento tΓ©rmico optimizado, eficiencia del sistema y densidad de potencia. Fueron diseΓ±ados especΓficamente para aplicaciones industriales exigentes que requieren un detenciΓ³n rendimiento y confiabilidad, como cargadores de vehΓculos elΓ©ctricos, inversores solares, alimentos ininterrumpidos, unidades de motor y circuitos de estado sΓ³lido.
La nueva tecnologΓa CoolSic 1200 V G2 ofrece mejoras significativas sobre la engendramiento aludido, lo que permite que sean pΓ©rdidas de conmutaciΓ³n hasta un 25% mΓ‘s bajas para R equivalente.Ds (encendido) dispositivos, aumentando asΓ la eficiencia del sistema hasta en un 0.1%. Utilizando la tecnologΓa de interconexiΓ³n .XT de IXT mejorada de Infineon, los dispositivos G2 logran una resistor tΓ©rmica mΓ‘s 15% ΓΊltimo y una reducciΓ³n del 11% en la temperatura de MOSFET en comparaciΓ³n con los productos de la clan G1. El rayante rDs (encendido) Los tΓtulos, que van desde 4 MΞ© a 78 MΞ©, prΓ³ximo con una amplia cartera de productos, permiten a los diseΓ±adores la flexibilidad para optimizar el rendimiento del sistema para sus aplicaciones objetivo. Por otra parte, la nueva tecnologΓa admite la operaciΓ³n de sobrecarga hasta una temperatura de uniΓ³n (tVJ) de 200 Β° C y presenta una reincorporaciΓ³n robustez contra la activaciΓ³n parasitaria, asegurando una operaciΓ³n confiable en condiciones dinΓ‘micas y exigentes.
El Coolsic MOSFET 1200 V G2 estΓ‘ adecuado en dos configuraciones Q-DPAK: un solo interruptor y un doble puente medio. Ambas variantes son parte de la plataforma de refrigeraciΓ³n X-DPAK mΓ‘s amplia de Infineon. Con una prestigio de paquete estandarizada de 2.3 mm en todas las variantes de TSC, incluidos Q-DPAK y Tolt, la plataforma ofrece flexibilidad de diseΓ±o y permite a los clientes medrar y combinar diferentes productos en un solo conjunto de disipador de calor. Esta flexibilidad de diseΓ±o simplifica el explicaciΓ³n liberal del sistema de energΓa, lo que facilita a los clientes personalizar y medrar sus soluciones.
El paquete Q-DPAK mejorΓa el rendimiento tΓ©rmico al permitir la disipaciΓ³n de calor directo desde la superficie superior del dispositivo hasta el disipador tΓ©rmico. Esta ruta tΓ©rmica directa ofrece una mejor eficiencia de transferencia de calor en comparaciΓ³n con los paquetes refrigerados tradicionales del flanco inferior, lo que permite diseΓ±os mΓ‘s compactos. Por otra parte, el diseΓ±o de diseΓ±o del paquete Q-DPAK permite la inductancia parΓ‘sita minimizada, lo que es crΓtico para mayores velocidades de conmutaciΓ³n. Esto mejorΓa la eficiencia del sistema y reduce el peligro de sobreexcoto de voltaje. La pequeΓ±a huella del paquete admite diseΓ±os compactos del sistema, mientras que su compatibilidad con los procesos de ensamblaje automatizados simplifica la fabricaciΓ³n, asegurando la rentabilidad y la escalabilidad.
Disponibilidad
El coolsic MOSFET 1200 V G2 en el interruptor ΓΊnico Q-DPAK y las variantes de paquetes de medio puente dual estΓ‘n disponibles ahora. Hay mΓ‘s informaciΓ³n adecuado en www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.
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