Kioxia Corporationun líder mundial en soluciones de memoria, ha desarrollado un prototipo de un módulo de memoria flash de gran capacidad de parada nivel esencial para los modelos de inteligencia sintético (IA) a gran escalera. Este logro se realizó en el interior del «Plan de mejoría de la infraestructura de información de información posterior a 5G (JPNP20017)» encargado por la nueva Estructura de Explicación de Tecnología Energética y Industrial (NEDO), la Agencia Franquista de Investigación y Explicación de Japón. Este módulo de memoria presenta una gran capacidad de cinco terabytes (TB) y un parada encantado de bandada de 64 gigabytes por segundo (GB/s).
Para enfrentarse la compensación entre la capacidad y el encantado de bandada que ha sido un desafío con los módulos de memoria convencionales basados en DRAM, Kioxia ha desarrollado una nueva configuración del módulo que utiliza conexiones con esclavitud con cuentas de expresiones flash. Igualmente han desarrollado tecnología de transceptor de inscripción velocidad que permiten anchos de bandada de 128 gigabits por segundo (GBP), próximo con técnicas para mejorar el rendimiento de la memoria flash. Estas innovaciones se han perseverante tanto a los controladores de memoria como a los módulos de memoria.
Se calma que la aplicación experiencia de este módulo de memoria acelere la transformación digital al permitir la asimilación de Internet de las cosas (IoT), el estudio de big data y el procesamiento innovador de IA en los servidores de computación de borde móvil (MEC) posterior a 5G/6G y otras aplicaciones.
1. Referencias
En la era posterior a 5G/6G, se calma que las redes inalámbricas logren velocidades más altas, una latencia más bajas y la capacidad de conectar más dispositivos simultáneamente. Sin bloqueo, la transmisión de datos a servidores de nubes remotos para el procesamiento aumenta la latencia en toda la red, incluidas las redes con cable, lo que dificulta las aplicaciones en tiempo verdadero. Por esta razón, existe la falta de la asimilación generalizada de los servidores MEC que procesan los datos más cerca de los usuarios, lo que se calma que impulse la transformación digital en una variedad de industrias. Por otra parte, la demanda de aplicaciones de IA avanzadas, como la IA generativa, ha aumentado en los últimos abriles. Yuxtapuesto con las mejoras de rendimiento de los servidores MEC, los módulos de memoria igualmente deben tener una capacidad aún decano y un decano encantado de bandada.
En este fondo, Kioxia se ha centrado en mejorar la capacidad y el encantado de bandada de los módulos de memoria utilizando la memoria flash para este esquema. La compañía ha rematado desarrollar un módulo de memoria prototipo con una capacidad de 5 TB y un encantado de bandada de 64 GB/s, y ha verificado su operabilidad.
2. Logros de este esquema
2.1 Admisión de conexiones de esclavitud de margaritas
Para ganar módulos de memoria de gran capacidad y parada encantado de bandada, Kioxia ha prohijado una conexión de esclavitud de margarita con cuentas de controladores conectados a cada placa de memoria en emplazamiento de una conexión de bus. Como resultado, el encantado de bandada no se degrada incluso cuando aumenta el número de expresiones flash, y se logra una gran capacidad más allá del remate convencional.
2.2 128 GBPS PAM4 Adhesión velocidad y transceptor de muerto potencia
La señalización en serie diferencial de inscripción velocidad se aplica a las conexiones de la esclavitud de margaritas entre los controladores de memoria en emplazamiento de la señalización paralela para achicar el número de conexiones, y Pam4 (modulación de amplitud de pulso con 4 niveles) se utiliza para ganar un decano encantado de bandada de 128 GBP con un consumo de muerto potencia.
2.3 tecnologías que aumentan el rendimiento de la memoria flash
Para acortar la latencia de repaso de la memoria flash en los módulos de memoria, Kioxia ha desarrollado tecnología Flash Prepletch, que minimiza la latencia mediante la búsqueda de datos previamente durante los accesos secuenciales, e implementado esto en el compensador. Por otra parte, el encantado de bandada de memoria se ha incrementado a 4.0 Gbps aplicando tecnología de corrección/supresión de distorsión de muerto amplitud y señalización de distorsión a la interfaz entre el compensador de memoria y la memoria flash.
2.4 Compensador de memoria y prototipos del módulo de memoria
Al implementar 128 GBPS PAM4 de inscripción velocidad, transceptores y tecnologías de muerto potencia que aumentan el rendimiento de la memoria flash, Kioxia ha prototipo de un compensador de memoria y un módulo de memoria que usa PCIe 6.0 (64 Gbps, 8 carriles) como la interfaz host del servidor. El módulo de memoria prototipado demostró que se puede realizar una capacidad de 5TB y un encantado de bandada de 64 GB/s con menos de 40 vatios de consumo de energía.
3. Planes futuros
Por otra parte del estudio de IoT y Big Data y el procesamiento innovador de IA en el borde, Kioxia está promoviendo la comercialización temprana y la implementación experiencia de los resultados de esta investigación, explotando nuevas tendencias del mercado como la IA generativa.
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